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반도체커스텀레이아웃산업기사 2017-05-07 집적회로 설계이론 68번 문제 해설

반도체커스텀레이아웃산업기사 2017-05-07 - 집적회로 설계이론
반도체커스텀레이아웃산업기사 2017-05-07 - 집적회로 설계이론
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문제 68 2017-05-07
nMOSFET의 반전 모드에서 게이트 전압을 증가(V G ＞ 0) 시키면 산화층과 실리콘의 경계면에 캐리어가 정공에서 전자로 바뀌게 되는데, 이때 형성된 층을 무엇이라고 하는가?
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